Новое поколение твердотельных усилителей мощности для систем спутниковой связи и вещания появилось на рынке благодаря успешному развитию технологии GaN HEMT. Ряд уникальных технических параметров позволяет GaN-транзисторам уверенно вытеснять такие технологии, как ЛБВ и GaAs-транзисторы. В статье рассматриваются вопросы применения нового поколения твердотельных усилителей мощности и перспективы дальнейшего развития этого направления индустрии.

sitemap

Разработка: студия Green Art