Наш сайт использует cookies и Яндекс Метрику.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "усилители мощности"
Электроника НТБ #5/2026
В. Кочемасов, Т. Косичкина
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 2
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.257.5.126.134 Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности СВЧ-диапазона
Электроника НТБ #4/2026
В. Кочемасов, Т. Косичкина
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 1
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.52.59 Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности СВЧ-диапазона.
Первая миля #3/2013
М.Лаврентьев, Д.Гелерман
Новое поколение твердотельных усилителей мощности GаN HEMT в системах спутниковой связи и вещания
Новое поколение твердотельных усилителей мощности для систем спутниковой связи и вещания появилось на рынке благодаря успешному развитию технологии GaN HEMT. Ряд уникальных технических параметров позволяет GaN-транзисторам уверенно вытеснять такие технологии, как ЛБВ и GaAs-транзисторы. В статье рассматриваются вопросы применения нового поколения твердотельных усилителей мощности и перспективы дальнейшего развития этого направления индустрии.
Электроника НТБ #5/2012
М.Гольцова
Конференция ISSCC. Кремний – основа устойчивого развития современного мира. Часть 2
Конференция этого года, как и раньше, позволяет сформировать дорожную карту развития электроники как в ближайшем, так и в более отдаленном будущем. Как воплотить принцип: полупроводниковая технология для лучшей жизни? Попробуем на основе докладов, прочитанных на конференции ISSCC, разобраться в тенденциях развития аналоговых, радиочастотных устройств и микросхем систем связи.